Görsel mevcut değil
SBCX19LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
SBCX19LT1G Hakkında
SBCX19LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA collector akımı ile orta seviye anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 300mW güç dağıtım kapasitesi ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sağlar. DC current gain değeri 100mA collector akımında ve 1V Vce'de minimum 100'dür. Vce saturation voltajı 620mV olup, 50mA base akımında ve 500mA collector akımında ölçülmüştür. Compact surface mount konfigürasyonu sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı uygulamalarda uygun bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
620mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V