Görsel mevcut değil
SBCP56-16T3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT-223
SBCP56-16T3G Hakkında
SBCP56-16T3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 1A kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter gerilim derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ve 130MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. 500mV doyum gerilimi (saturasyon), düşük kayıp anahtarlama için avantajlı bir özelliktir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 olup 150mA kolektör akımında 2V Vce'de ölçülür. -65°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel uygulamalarda güvenilir kullanım sağlar. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve düşük frekanslı amplifier tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V