Görsel mevcut değil
SBC846BLT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 65V 100MA SOT23-3
SBC846BLT1G Hakkında
SBC846BLT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 65V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük ve orta seviye sinyal uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile gerilim yükselteçleri, anahtar uygulamaları ve audio sinyali işleme devrelerine uygundur. 100MHz transition frekansı ile hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 300mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V