Görsel mevcut değil
S1JVNJD2873T4G
S1JVNJD2873T4G Hakkında
onsemi tarafından üretilen S1JVNJD2873T4G, NPN tipi bipolar transistördür. Surface Mount (DPak/TO-252-3) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2A maksimum kolektör akımı, 65MHz transition frequency ve 120 minimum DC current gain (hFE) ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.68W maksimum dissipation power ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.68 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V