Görsel mevcut değil
PZT751T1G
PZT751T1G Hakkında
PZT751T1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 60V maksimum kolektor-emitter gerilimiyle ve 2A maksimum kolektör akımıyla, anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde çalışabilir. 75 MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı devre tasarımlarında uygundur. 800mW maksimum güç yayılımı kapasitesiyle, güç tüketimi düşük-orta seviyedeki elektronik devrelerde tercih edilir. SOT-223 yüzey montaj paketlemesiyle kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikatörleri, DC-DC dönüştürücüleri, tetikleme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
75MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
İlgili Ürünler
