Görsel mevcut değil
PZT651T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 2A SOT223
PZT651T1G Hakkında
PZT651T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 60V maksimum Vce dağılma voltajına ve 2A maksimum kolektör akımına sahiptir. 75MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalar için tasarlanmıştır. 800mW güç tüketimi kapasitesi ile anahtarlama devreleri, genel amaçlı amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Minimum 75 DC akım kazancı (hFE @ 1A, 2V) ve 500mV saturasyon voltajı ile verimli anahtar uygulamaları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve düşük seviyelik kontrol devreleri, ses-frekans amplifikatörleri ve genel endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
75MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V