Görsel mevcut değil
PBHV9110DW_R2_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV9110DW_R2_00001 Hakkında
PBHV9110DW_R2_00001, Panjit tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). Düşük VCE(sat) özelliğine sahip olup, maksimum 1A collector akımında çalışabilir. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100V breakdown gerilimi ve geniş -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. SOT-223 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, amplifikasyon, anahtarlama ve lojik seviyeleri tersine çevirme gibi devrelerde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2.6 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V