Görsel mevcut değil
MMBT3904FN3_R1_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DFN 3L, TRANSISTOR
MMBT3904FN3_R1_00001 Hakkında
MMBT3904FN3_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 3-UFDFN (1x0.6mm) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, küçük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum collector akımı 200mA, collector-emitter gerilimi 40V, maksimum güç tüketimi 250mW olan cihaz, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans sağlar. DC akım kazancı (hFE) 100V'da 10mA akıma göre minimum 100 değerine sahiptir. Düşük VCE doyum gerilimi (300mV @ 50mA) ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Taşınabilir cihazlar, sensör arayüzleri ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-UFDFN
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
3-DFN (1x0.6)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V