Görsel mevcut değil
PBHV8110DW_R2_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV8110DW_R2_00001 Hakkında
PBHV8110DW, PANJIT tarafından üretilen düşük saturasyon voltajına sahip NPN bipolar transistördür. 1A maksimum collector akımı, 100V collector-emitter gerilim dayanıklılığı ve 100MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 450mV saturasyon voltajı (100mA/1A koşullarında) sayesinde güç tasarruflu tasarımlar için tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. TO-261-4 (SOT-223) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama, amplifikasyon ve driver uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
2.6 W
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V