Görsel mevcut değil
PBHV8110DA_R1_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
PBHV8110DA_R1_00001 Hakkında
PBHV8110DA, PANJIT tarafından üretilen NPN tip bipolar jonksiyon transistörüdür. Düşük VCE(SAT) değeri ile karakterize edilmiş olup, 450mV saturasyon voltajı (100mA@1A koşullarında) sayesinde güç tüketiminin minimize edildiği uygulamalarda tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1A maksimum kollektör akımı, 140 (minimum DC akım kazancı @ 150mA, 2V), 100MHz transition frequency ve 100V breakdown voltajı ile çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 1.25W güç yayabilir. Gümrük kapısı uygulamaları, anahtarlama devreleri, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı düşük güçlü elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V