Görsel mevcut değil
NSVS50031SB3T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BIPOLAR TRANSISTOR, 50 V, 3 A
NSVS50031SB3T1G Hakkında
NSVS50031SB3T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.1W maksimum güç dağıtım kapasitesi, 200 minimum DC current gain (hFE) ve 380MHz transition frequency ile genel sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulmuş olup, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Düşük Vce saturation voltajı (210mV) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
380MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
1.1 W
Supplier Device Package
3-CPH
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V