Görsel mevcut değil
NSVMSB1218A-RT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
NSVMSB1218A-RT1G Hakkında
NSVMSB1218A-RT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SC-70/SOT-323 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100 mA maksimum kollektör akımı ve 210 minimum DC akım kazancı (hFE) ile şekillendirilen düşük güç uygulamalarına uygundur. 150 mW maksimum güç dağıtımı ve 45 V Vce(br) kırılma voltajı ile sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama ve modülasyon devrelerinde kullanılır. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. 500 mV doyum voltajı (Vce sat) ile düşük kaybı sağlayan bu bileşen, portatif cihazlar, ses amplifikatörleri ve kontrol elektroniğinde yaygın olarak yer alır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
210 @ 2mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
SC-70-3 (SOT323)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V