Görsel mevcut değil
NSVMMBTA05LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V SOT23
NSVMMBTA05LT1G Hakkında
NSVMMBTA05LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 60V maksimum Vce darbelenme voltajı ve 500mA maksimum kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frekansı ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle, bu transistör anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi, düşük kolektör cutoff akımı (100nA) ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde; sinyal işleme, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amplifikasyon devreleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V