Görsel mevcut değil
NSVMMBT6520LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 350V 500MA SOT23-3
NSVMMBT6520LT1G Hakkında
NSVMMBT6520LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar junction transistörüdür. 350V breakdown voltajı ve 500mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 225mW güç dağıtabilmesi ve 200MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklı endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarına uygundur. Kompakt SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket, küçük alanlı PCB tasarımlarına imkan tanır. Çalışma noktası stabilizasyonu için düşük doyum voltajı (Vce_sat: 1V @ 5mA, 50mA) sunar. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve buzzer sürüşü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V