Görsel mevcut değil
NSVMMBT6517LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
NSVMMBT6517LT1G Hakkında
NSVMMBT6517LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 225mW güç dağıtma kapasitesi, 200MHz transition frequency ve 20 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle gürültülü ortamlarda sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve düşük frekanslı RF devrelerde kullanılmaya elverişlidir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Bileşen şu anda üretimi durdurulan (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V