Görsel mevcut değil
NSVMMBT5551M3T5G
NSVMMBT5551M3T5G Hakkında
NSVMMBT5551M3T5G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. SOT-723 surface mount paketinde sunulan bu transistör, 160V maksimum Vce(Breakdown) ile hassas sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60mA kollektör akımı ve 265mW maksimum güç disipasyonu ile düşük güçlü devrelerde, ses ön amplifikatörleri, sinyal işleme, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama ortamlarına uyum sağlar. 10mA, 5V koşullarında 80 minimum hFE değeri ve 5mA/50mA koşullarında 200mV maksimum doyum voltajı ile kontrollü amplifikasyon karakteristiği sunar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
265 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V