Görsel mevcut değil
NSVMMBT5550LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
NSVMMBT5550LT1G Hakkında
NSVMMBT5550LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 140V kolektör-emitör kırılma voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 225mW güç dağıtım kapasitesi ve 60 minimum DC akım kazancı (10mA, 5V'de) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motor denetim devreleri, akım anahtarlaması ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V