Görsel mevcut değil
NSVMMBT5401M3T5G
NSVMMBT5401M3T5G Hakkında
NSVMMBT5401M3T5G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar junction transistöründür. 150V kolektör-emiter kırılma voltajı ve 60mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 130mW maksimum güç dağılımı, -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığı ve 180MHz geçiş frekansı özellikleriyle kompakt SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
130 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V