Görsel mevcut değil
NSVBSS63LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 100MA SOT23-3
NSVBSS63LT1G Hakkında
NSVBSS63LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23-3 yüzey montajlı pakete sahiptir. 100V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 225mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve genel amaçlı uygulamalarda kullanılır. 95MHz transition frekansı ile hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen kompakt tasarımı, alanın sınırlı olduğu tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve basit güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition
95MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 2.5mA, 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V