Görsel mevcut değil
NSVBSP19AT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
NSVBSP19AT1G Hakkında
NSVBSP19AT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 800mW güç dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, 70MHz transition frequency'sine ulaşır. SOT-223 (TO-261-4) yüzey montajlı paketine sahiptir. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri 20mA collector akımında 10V Vce'de ölçülmüştür. -65°C ile +150°C arasında çalışmakta olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı endüstriyel elektronik tasarımlarında kullanılmaktadır. Düşük collector cutoff akımı (20nA ICBO) ile kapalı durumdaki sızıntı akımı minimumdur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition
70MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V