Görsel mevcut değil
NSVBCX17LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
NSVBCX17LT1G Hakkında
NSVBCX17LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 45V Vce ve 500mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 100 @ 100mA, 1V koşullarında minimum 100'lük DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 225mW güç yeteneği ve -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklık aralığı ile güvenilir performans sunar. 620mV maksimum saturation voltajı (50mA Ib, 500mA Ic koşulunda) ve 100nA maksimum collector cutoff akımı, düşük sızıntı özelliğini gösterir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve komplement BJT çiftlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
620mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V