Görsel mevcut değil
NSVBCP68T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
NSVBCP68T1G Hakkında
NSVBCP68T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılan bir silikon transistörüdür. Maksimum 1A kolektör akımı ve 1.5W güç dağıtım kapasitesi ile düşük voltajlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 60MHz geçiş frekansı ve 500mV satürasyon voltajı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Surface mount SOT-223 (TO-261) paketinde sunulur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ve 20V collector-emitter kırılma voltajı ile endüstriyel kontrol, motor sürücüsü, güç yönetimi ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V