Görsel mevcut değil
NSVBCP56-10T3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT-223
NSVBCP56-10T3G Hakkında
NSVBCP56-10T3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-223 paketinde gelen bu transistör, 130MHz transition frequency ile yüksek hızlı devre tasarımlarında yer alabilir. 1.5W maksimum güç dağıtımı, 500mV doyum voltajı ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve tüketici ürünlerindeki anahtarlama, sürücü ve sinyal işleme devrelerine uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V