Görsel mevcut değil
NSVBCH817-40LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS SOT23 GP XSTR SPCL TR _175DEG
NSVBCH817-40LT1G Hakkında
NSVBCH817-40LT1G, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V VCE breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunar. 250 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir amplifikasyon karakteristiği sağlar. 225mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi olan bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı analog/dijital elektronik devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Küçük ebat ve düşük güç tüketimi sayesinde taşınabilir cihazlar ve kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V