Görsel mevcut değil
NSVBCH807-25LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS SOT23 GP XSTR SPCL TR_175DEGC
NSVBCH807-25LT1G Hakkında
NSVBCH807-25LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek sıcaklık derecelendirilmiş PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 500mA maksimum collector akımı ve 225mW güç dağılımı kapasitesi ile kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 160 minimum DC current gain (hFE), darbe şekillendirme, ses amplifikasyonu ve RF uygulamalarında performans sağlar. 45V breakdown voltajı ile orta voltaj devrelerinde yer alabilir. Özel sıcaklık derecelendirilmesi, otomotiv, endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilmesini sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V