Görsel mevcut değil
NSVBC858CLT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
NSVBC858CLT1G Hakkında
NSVBC858CLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 (TO-236) surface mount paketinde sunulmaktadır. 30V maksimum Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 420 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip olup, 100MHz transition frequency ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde uygulanabilir. Maksimum 300mW güç tüketimi ile pil işletilen ve düşük güçlü elektronik devrelerde tercih edilmektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri çevirme ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V