Görsel mevcut değil
NSVBC858BLT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 100MA SOT23-3
NSVBC858BLT1G Hakkında
NSVBC858BLT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 30V maksimum Vce (Collector-Emitter) voltajı ile çalışmaktadır. 100mA maksimum kollektör akımına ve 300mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 2mA ve 5V koşullarında minimum 220'dir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir. Düşük güç tüketimi nedeniyle taşınabilir cihazlar, ses amplifikatörleri ve kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V