Görsel mevcut değil
NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G Hakkında
NSVBC856BM3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 65V maksimum Vce breakdown voltajında 100mA kolektör akımını destekler. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 265mW maksimum güç yayılımına sahiptir. Düşük cutoff akımı (15nA) nedeniyle sızıntı akımının minimumda tutulduğu tasarımlar için uygundur. Sesli/görüntülü cihazlar, sensör arabirim devreleri, güç yönetimi ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
265 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V