Görsel mevcut değil
NSVBC848CLT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 100MA SOT23-3
NSVBC848CLT1G Hakkında
NSVBC848CLT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 30V Vce ve 100mA kolektör akımı ile düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 200 minimum hFE değeri ile orta hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. 225mW maksimum güç dissipasyonu, 15nA kolektör cutoff akımı ve 600mV doyum voltajı ile genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Gömülü sistemler, sinyal işleme, dijital mantık arayüzleri ve küçük güç kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu bileşen aktif üretim durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V