Görsel mevcut değil
NSV60200LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
NSV60200LT1G Hakkında
NSV60200LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketlemede sunulan bu transistör, 100MHz transition frequency ve 150 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 460mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer almasını sağlar. Düşük saturasyon gerilimi (220mV) ve 100nA collector cutoff akımı ile verimli komutasyon özellikleri sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
460 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V