Görsel mevcut değil
NSV40200UW6T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
NSV40200UW6T1G Hakkında
NSV40200UW6T1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 6-WDFN yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu komponent, maksimum 40V kolektör-emitter gerilimi ve 2A kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 875mW güç tüketimi ve 140MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük 300mV doyum gerilimi, anahtarlama devrelerinde verimli işletimi sağlar. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C arasında) ve yüksek akım kazancı (150 @ 1A, 2V), genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
875 mW
Supplier Device Package
6-WDFN (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V