Görsel mevcut değil
NSV2SC5658M3T5G
NSV2SC5658M3T5G Hakkında
NSV2SC5658M3T5G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponentin maksimum kolektör akımı 150 mA, kolektör-emiter gerilimi 50 V ve geçiş frekansı 180 MHz'dir. DC akım kazancı (hFE) minimum 120 (1mA, 6V koşullarında), doyum gerilimi 400mV (5mA, 50mA) ve maksimum güç dağılımı 260 mW'dır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, RF amplifikatörleri, voltaj düzenleyicileri ve düşük güçlü sinyal işleme devrelerinde kullanılmaktadır. Küçük boyutu ve yüksek geçiş frekansı ile taşınabilir cihazlar ve kompakt endüstriyel uygulamalar için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
260 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V