Görsel mevcut değil
NSV20101JT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 1A SC89-3
NSV20101JT1G Hakkında
NSV20101JT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SC-89 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A kolektör akımı ve 20V kesintisiz emitter-kolektör voltajı ile çalışabilir. 350MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 220mV maksimum doyma voltajı ile, düşük güç tüketimli dijital lojik devreler, amplifikatörler, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve 255mW güç seçeneği ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
350MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Part Status
Active
Power - Max
255 mW
Supplier Device Package
SC-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V