Görsel mevcut değil
NSV1C301ET4G
NSV1C301ET4G Hakkında
NSV1C301ET4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar jonksiyon transistörü (BJT) olup yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. 100V kesme voltajı, 3A maksimum kolektör akımı ve 2.1W güç dağıtım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 120MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC akım kazancı 500mA akımda en az 200'dür. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen aktif bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V