Görsel mevcut değil
NSV1C300ET4G-VF01
NSV1C300ET4G-VF01 Hakkında
NSV1C300ET4G-VF01, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar transistördür. 100V kolektör-emitter geriliminde 3A'e kadar akım anahtarlaması yapabilen bu komponent, güç yönetimi, DC motor kontrolü, ses amplifikatörleri ve güç kaynağı devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan NSV1C300ET4G-VF01, 2.1W güç dağıtım kapasitesine, 180 minimum DC akım kazancına ve 100MHz transition frekansına sahiptir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V