Görsel mevcut değil
NSV1C300ET4G
NSV1C300ET4G Hakkında
NSV1C300ET4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Surface mount DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma performansı gösterir ve 2.1W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V