Görsel mevcut değil
NST857AMX2T5G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SS SOT883 GP XSTR PNP 45V
NST857AMX2T5G Hakkında
NST857AMX2T5G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 0402 (1x0.6mm) SMD pakette sunulmaktadır. 45V kollektör-emitör gerilimi ile çalışabilen bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 225mW güç tüketimine sahiptir. 100MHz transition frequency'si sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) tipik olarak 2mA kolektör akımında 125 değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu komponentin düşük kapalı durum gerilimi (650mV @ 100mA) ile ön amplifikatör, sinyal işleme ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yer alır. SSO paket türü ile kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
0402 (1006 Metric)
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
3-X2DFN (1x0.6)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V