Görsel mevcut değil
NSS60601MZ4T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 6A SOT-223
NSS60601MZ4T1G Hakkında
NSS60601MZ4T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 6A collector akımı ve 60V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 100MHz transition frequency özelliğine sahiptir. DC current gain değeri 1A akım ve 2V Vce koşullarında minimum 120'dir. Vce saturation voltajı 600mA-6A akım aralığında 300mV'tir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sunan bu transistör, güç anahtarlama, darbe modülasyonu (PWM) kontrolleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V