Görsel mevcut değil
NSS60200LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
NSS60200LT1G Hakkında
NSS60200LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır. 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 220mV saturasyon voltajı ve 100nA maksimum cutoff akımı ile bu transistör, tüketici elektronikleri, otoomotiv kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
460 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V