Görsel mevcut değil
NSS40200UW6T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 2A 6-WDFN
NSS40200UW6T1G Hakkında
NSS40200UW6T1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 6-WDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 875mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 150MHz transition frekansına sahiptir. DC current gain (hFE) 1A collector akımında 150 minimum değerdir. 300mV saturation voltajı ile hızlı anahtarlama özellikleri barındırır. Ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, akım amplifikasyon ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
140MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
875 mW
Supplier Device Package
6-WDFN (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V