Görsel mevcut değil
NSS35200MR6T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
NSS35200MR6T1G Hakkında
NSS35200MR6T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar junction transistörüdür. 35V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 100 MHz transition frequency ve 100 minimum hFE kazancına sahiptir. 625mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile analog anahtarlama, amplifikasyon ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Compact paket ve düşük kesintisiz collector akımı (100nA max) sayesinde batarya beslemeli ve hassas uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
6-TSOP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
310mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
35 V