Görsel mevcut değil
NSS30201MR6T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 2A 6TSOP
NSS30201MR6T1G Hakkında
NSS30201MR6T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-6 surface mount paketinde sunulan bu transistör, 30V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 300 MHz transition frequency'si ile orta frekans uygulamalarına uygundur. 535 mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş kullanım koşullarını destekler. 75 mV saturation voltajı ile düşük kayıp anahtarlama özellikleri sunar. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı dijital-analog uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status
Active
Power - Max
535 mW
Supplier Device Package
6-TSOP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
75mV @ 1mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V