Görsel mevcut değil
NSS20201MR6T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 2A 6TSOP
NSS20201MR6T1G Hakkında
NSS20201MR6T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistörüdür. 20V kollektör-emiter gerilimi ve 2A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. 200 MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta güç uygulamalarına uygun performans sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzeye monte paketinde sunulan komponent, 460mW maksimum güç dissipasyonuna ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 150mV saturasyon gerilimi, anahtarlama devrelerinde ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygun özelliklere sahip bir transistördür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 5V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status
Active
Power - Max
460 mW
Supplier Device Package
6-TSOP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V