Görsel mevcut değil
NSS1C201MZ4T3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 2A SOT223
NSS1C201MZ4T3G Hakkında
NSS1C201MZ4T3G, onsemi tarafından üretilen NPN türü bipolar junction transistördür (BJT). SOT223 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 2A kolektör akımı ve 100V geriş yalıtım gerilimi ile tasarlanmıştır. 800mW güç sınırlaması ve 100MHz geçiş frekansı ile orta hız uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) 500mA akımda minimum 120 değerine sahiptir. Doyum durumunda 180mV Vce değeri ile düşük kayıp özelliğine sahip olup, anahtarlama ve darbe kuvvetlendirme devreleri, küçük sinyal amplifikatörleri, genel amaçlı mantık devreleri ve kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) endüstriyel ortamlar için uygun kılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V