Görsel mevcut değil
NSS1C201MZ4T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
NSS1C201MZ4T1G Hakkında
NSS1C201MZ4T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 800mW güç derecelendirmesi ve 100MHz geçiş frekansı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Doyum gerilimi 180mV olup, minimum 120 DC akım kazancı ile düşük ve orta akım uygulamalarında verimli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V