Görsel mevcut değil
NSS12501UW3T2G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 5A 3-WDFN
NSS12501UW3T2G Hakkında
NSS12501UW3T2G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-WDFN paketinde sunulan bu komponent, maksimum 5A kolektör akımı ve 12V breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. 200 minimum DC current gain (hFE) ve 120mV saturation voltajı ile verimli anahtarlama karakteristiği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 875mW güç tüketimiyle, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü driveleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanıma uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-WDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
875 mW
Supplier Device Package
3-WDFN (2x2)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
120mV @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V