2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
NSCT817-40LT1G Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

NSCT817-40LT1G

Üretici
onsemi
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23

NSCT817-40LT1G Hakkında

NSCT817-40LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 100mA, collector-emitter kesintme gerilimi 45V ve 225mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 250 değeri ile sağlam amplifikasyon karakteristiği gösterir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans sunar. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri kontrol eden arayüz uygulamaları ve genel amaçlı küçük sinyal işleme görevlerinde kullanılır. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir. Parça kullanımdan çıkarılmış (obsolete) statüsündedir.

Ürün Özellikleri

13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V