Görsel mevcut değil
NJVNJD1718T4G
NJVNJD1718T4G Hakkında
NJVNJD1718T4G, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 2A collector akımı ile çalışır. 80MHz transition frequency'si ile orta hız uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC current gain (hFE) değeri 500mA, 2V'te minimum 70'tir. Maksimum güç dağılımı 1.68W olup, -65°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında çalışır. Vce saturation değeri 500mV (50mA, 1A'de) olan bu bileşen, anahtar ve amplifikasyon devrelerinde, ses amplifikatörleri, güç kontrol sistemleri ve genel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.68 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V