Görsel mevcut değil
NJVMJD47T4G
NJVMJD47T4G Hakkında
NJVMJD47T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, 250V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 1.56W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahip bileşen, 10MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerinde yer alır. 30 minimum DC current gain (hFE), 1V maksimum saturation voltajı ve 200µA maksimum cutoff akımı parametreleri ile kontrol devreleri, aydınlatma uygulamaları, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V