Görsel mevcut değil
NJVMJD45H11T4G
NJVMJD45H11T4G Hakkında
NJVMJD45H11T4G, onsemi tarafından üretilen Surface Mount PNP bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde gelen bu bileşen, maksimum 8A collector akımı ve 80V collector-emitter gerilim toleransı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 2A akımda ve 1V gerilimde 60 değerindedir. 90MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun olup, maksimum 1.75W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel elektronik devreleri, güç yönetimi, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V